电路板测试、检验及规范

...盘两者之间的空距宽度。2.体积电阻率r＝RA／T；R为实测体积电阻值； T为板材平均厚度(cm) ；A为铜环之面积。按美军板材规范MIL-S-13949H／4D(1993. 10)的规定，常用板材 FR-4表面电阻率之下限为104MΩ，体积电阻率之下限为106MΩ。 70、Taper Pin Gauge锥状孔规是一种逐渐变细的锥状长形针状体，可插入通孔检测多种孔径，并有表面读值呈现所测数据，堪称甚为方便。 71、Taber Abraser泰...
浅谈电容器测试的挑战与方案

...上，电容器的电介质可由任意非导电物质组成。但在实际应用中，使用的材料要最适于电容器的功能。例如聚苯乙烯、聚碳酸酯或Teflon等聚合物介质。根据所使用的具体材料和纯度，其绝缘电阻范围可从104MΩ？μF至108MΩμF.例如，1000pF的Teflon电容器具有高于1017Ω的绝缘电阻，就记为>108MΩμF.诸如X7R或NPO等陶瓷的绝缘电阻范围可从103MΩμF至106MΩμF.电解电容器（例如钽或铝）...
Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件

...持设备中的充电和负载开关。更低的MOSFET导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在这些设备中节省电能并延长两次充电之间的电池寿命。 SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有54mΩ、70mΩ、104MΩ和165mΩ的超低导通电阻。具有8V栅源电压等级且性能最接近的P沟道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V时的导通电阻为60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分别比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。 MOSF...
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET

...新款MOS管采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有54mΩ、70mΩ、104MΩ和165mΩ的超低导通电阻。具有8V栅源电压等级且性能最接近的P沟道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V时的导通电阻为60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分别比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。 SiA9...

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