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13007

更新时间:2024-04-11 05:36:44
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  • 厂家：TD
  • 描述：Dated : 17/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC 13007 NPN Silicon Transistor for high voltage, high-speed power switching application Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage V EBO 9 V Collector Current I C 8 A Total Power Dissipation (T a = 25 O C) P tot 2 W Total Power Dissipation (T C = 25 O C) P tot 80 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 5 V, I C = 2 A h FE 8 40 - Collector Base Cutoff Current at V CB = 700 V I CBO - 1 mA Emitter Base Cutoff Current at V EB = 9 V I EBO -
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