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1N5711W

更新时间:2024-04-13 19:48:14
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1N5711W 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IF=15mA/IRM(UR=50V)=200nA
    电压参数:URRM=URWM=UR=70V/UR(RMS)=49V/U(BR)R(IR=10μA)=70V/UFM(IF=1mA)=0.41V
    功  率:PD=333mA
    其他参数:trr=1ns
    备  注:贴片肖特基二极管

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  • 大小:504.55KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:Features Low Forward Voltage Drop Guard Ring Construction for Transient Protection Fast Switching Time Low Reverse Capacitance 1N5711W SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE : SOD-123FL plastic body over passivated junction Method 2026 : Color band denotes cathode end :0.0007 ounce, 0.02 grams Case Terminals Polarity Weight : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Mechanical Data ! ! ! ! ! ! ! ! ! Symbol Value Unit 70 Power Dissipation (Infinite Heatsink) P D 400 (1) mW Maximum Single Cycle Surge 10 μs Square Wave I FSM 2 A Thermal Resistance Junction to Ambient Air R θJA 0.3 (1) °C/mW Junction Temperature T J 125 (1) °C Storage temperature range T S -55 to + 150 (1) °C Electrical Characteristics (T J = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Min Typ Max Unit I R = 10 μA 70 - - Reverse Current I R V R = 50 V - - 200 nA I F = 1mA - - 0.41 I F = 15mA - - 1.0 - - 2.0 I F = I R = 5mA, recover to 0.1I R Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are
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