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1N5404

更新时间:2024-04-24 23:26:13
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1N5404 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IO=3A/IFSM=200A/IR=10μA
    电压参数:URRM=URWM=UR=400V/UF=1V/URSM=525V
    功  率:PD=6.25W
    备  注:整流二极管(IF(AV)为Ta=75℃值)

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  • 大小:524.9KB
  • 厂家:山东迪一电子科技有限公司
  • 描述:
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):400V
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 3A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:10µA @ 400V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商设备封装:DO-201AD
  • 包装:散装
  • 其它名称:1N5404OS
1N5404 相关信息
  • 前照灯延时关断器
    ...高电平变为低电平,K释放,EL熄灭,同时IC断电停止工作。元器件选择Rl和R2选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。Cl选用耐压值为16V的铝电解电容器;C2选用独石电容器或涤纶电容器。VDl选用1N5402或1N5404型硅整流二极管;VDZ选用1N4007型硅整流二极管。IC选用NE555或5G1555型时基集成电路。S3选用小型动合按钮。K选用4088型12V直流继电器。
  • 电围栏控制电路图八
    ...C5、C7和C8选用独石电容器或涤纶电容器;C4选用高频瓷介电容器;C10选用耐压值为630V的铝电解电容器。 VD1和VD2均选用lN4l48型硅开关二极管;VD3~VD8选用1N4007或2CP10型硅整流二极管;VD9选用1N5404型硅整流二极管。 VL选用Φ5mm的红色发光二极管。 V1和V3均选用59013型硅NPN晶体管;V2选用3DU31型光敏晶体管。 VU选用BT32或BT33型单结晶体管。 VT选用5A、800V的晶问管。 ICl选用TWH875...
  • 电焊机空载节电器电路图三
    ...器:R2~R5均选用1/4W属膜电阻器。 RP选用优质合成碳膜电位器。 C1选用耐压值为630V的油浸电容器(例如CZ41型);C2选用耐压值为160V的铝电解电容器:03选用耐压值为25V的铝电解电容器。 VD1选用1N5404型硅整流二极管;VD2和VD3均选用1N4007型硅整流二极管。 VS1选用1W、12V的硅稳压二极管,例如1N4742等型号;VS2~VS4均选用2CW113型硅稳压二极管。 VU选用BT33型单结晶体管。 VT选用MCR10...
  • 电动机轻载节能器电路图一
    ...5~R9均选用1/4W碳膜电阻器;M选用2W线绕电阻器。 RP选用实心电位器。 C1选用耐压值为600V的CBB无感电容器;C2~C5均选用耐压值为25V的铝电解电容器。 图 电动机轻载节能器电路 VD1~VD8均选用1N5404型硅整流二极管。 VS1和VS2均选用1W、9V的稳压二极管。 V1选用59013型硅NPN型晶体管;V2选用C8050型硅NPN型晶体管。 K选用触头容量大于2A的12V直流继电器。 KM选用线圈电压为380V、触头电...
  • 电围栏控制电路 九
    ...用lN5408型硅整流二极管。VS选用1/2W或lW、39V的硅整流二极管。URl和UR2均选用lA、lOOV的整流桥堆,也可用4只1N4001或1N4007型硅整流二极管桥式连接后代替;UR3选用3A、400V的整流桥堆,也可用4只1N5404型硅整流二极管桥式连接后代替;UR4选用0.5A、5OV的整流桥堆,也可用4只1N4148型硅整流二极管桥式连接后代替。VTl选用MCRlO0-6(1A、600V)型晶闸管;VT2选用3A、600V的晶闸管。VU选用BT33型...
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