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2N3799

更新时间:2024-04-07 11:58:10
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    0.05A/60V

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  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:0.05 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:15
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:80 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-18
  • 封装:Box
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:360 mW
  • 工厂包装数量:2000
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