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2N3904RLRP

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2N3904RLRP外观图

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 最大直流电集电极电流:0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 0.1 mA at 1 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:300 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3 (TO-226)
  • 封装:Ammo
  • 集电极连续电流:0.2 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:625 mW
  • 工厂包装数量:2000
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