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2N6338G

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  • 大小:135.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:40MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:40 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):25A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.8V @ 2.5A,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大):50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 10A,2V
  • 功率 - 最大:200W
  • 频率 - 转换:40MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
2N6338G 相关信息
  • 2N6338G的技术参数
    产品型号:2N6338G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大持续电流IC(Max)(A):25直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40功率耗散PD(W)@25℃:200封装/温度(℃):TO204AA/-65~200价格/1片(套):¥55.00 来源:零八我的爱
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