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2SJ653

更新时间:2024-03-27 14:22:38
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  • 厂家:SANYO [Sanyo Semicon Device]
  • 描述:General-Purpose Switching Device Applications
  • 典型关断延迟时间:495 ns
  • 典型接通延迟时间:53 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:120 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:6500 pF V @ 20
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:4.5mm
  • 封装类型:TO-220ML
  • 尺寸:10 x 4.5 x 8.8mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:2000 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:60 V
  • 最大漏源电阻值:0.025
  • 最大连续漏极电流:37 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:P
  • 配置:单
  • 长度:10mm
  • 高度:8.8mm
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