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55PA

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55PA 相关信息
  • PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
    ...级膜。对大量实验中带代表性薄膜样品的结果进行分析,仅改变反应室气压,其他皆按常规标准工艺形成薄膜样品(以p-Si衬底为例),其中,7号样品气压33.25Pa;11号样品气压39.90Pa;2号样品气压46.55PA;9号样品气压53.20Pa;10号样品气压59.85Pa。相应的准静态C-V、高频C-V特性测试,得到膜的电学参数列在表1。分析发现,薄膜样品I-V击穿特性并不是随反应室气压增加而单调变化,相对来说,...
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