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单电源编制程序操作电压降至2.5V;低功率CMOS工艺:典型有源电流:1mA,典型待机电流:5μA(电压3.0V);ORG引脚可选择存储器结构:2048×8或1024×16位结构;自定时擦/写周期;在执行指令WRAL(全部写入)之前自动执行ERAL(全部擦除)指令;电源开/关数据保护电路;符合工业标准的3线串行I/O;擦/写操作时有设备状态信号;有序的读出功能;保证10000000次的擦/写操作;数据保留>200年;可用温度范围:0~+70℃/-40~+85℃;温度范围:0~+70℃
引脚图: