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FDA18N50

更新时间:2024-04-20 08:18:23
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FDA18N50外观图

  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UniFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:265 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2860pF @ 25V
  • 功率 - 最大:239W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装:TO-3P
  • 包装:管件
FDA18N50 相关信息
  • 飞兆推出全新FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管
    ... LCD TV的SMPS一般工作在两类PFC电流模式下:CCM和DCM。为了优化CCM设计,飞兆半导体的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的UniFET MOSFET同用。例如,19A 500V FDA18N50 UniFET采用专有的平面条形DMOS技术获得很低的导通阻抗RDS(on)(0.265Ohm @ VGS=10V)和很高的承受UIS(非钳位感应开关)的能力。UniFET器件与新型的Stealth II二极管相结合,其开关损耗比...
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