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APTM50DHM75TG

更新时间:2024-03-29 12:50:50
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  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:46A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 23A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:123nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:5600pF @ 25V
  • 功率 - 最大:357W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP4
  • 供应商设备封装:SP4
  • 包装:散装
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