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其它信息:
快速读取时间:150ns;自动页写周期:内部地址和数据锁存,内部控制计时器;快速字节写时间:页写周期时间:3ms或1ms(最大值),1~64字节页写操作;低功耗:正常工作时电流:50mA,CMOS待机电流:200μA;硬件和软件写保护;高可靠性CMOS技术:104或105次循环擦写周期,10年数据保留时间;电压:5V±10%;全部输入输出支持CMOS和TTL兼容;全军用、商业级和工业级温度范围;工作温度范围:工业级温度-40~85℃;存取时间:150ns
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