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AT49BV640D-70CU

更新时间:2024-03-28 18:12:16
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AT49BV640D-70CU 相关资料
  • 其它信息:

    单电压读/写:2.65~3.6V;存取时间为70ns;扇区擦除架构:127个32K字(64KB)主扇区具有独立的写入封锁,8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁;快速字编程时间为10μs;典型的扇区擦除时间:32K字扇区为700ms,4K字扇区为100ms;暂停/恢复功能用作擦除和编程:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据,通过任何其他字节/字暂停程序,在非暂侵扇区支持读任何字节/字;低功率操作:10mA工作电流,15μA待机电流;VPP引脚用于写保护和加快程序操作;WP引脚用于扇区保护;RESET输人用作设备初始化;提供顶部或底部启动区块配置;灵活的扇区保护;128位保护寄存器;最小100000次擦除周期;共用闪存接口(CFI);工业级温度范围:-40~85℃

  • 引脚图:

    AT49BV640D-70CU引脚图

AT49BV640D-70CU的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

AT49BV640D-70CU外观图

  • 标准包装:276
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:存储器
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:FLASH
  • 存储容量:64M(4M x 16)
  • 速度:70ns
  • 接口:并联
  • 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:48-CBGA
  • 供应商设备封装:48-CBGA(7x10)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:AT49BV640D-70CUCTAT49BV640D-70CUCT-NDAT49BV640D-70CUTR
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