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AT52BC6402AT

更新时间:2024-04-06 00:29:36
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  • 其它信息：

    层叠式存储模块功能：64M Flash＋16M PSRAM，电源电压：2.7～3.1V； 数据1/O×16.66引脚的CBGA封装； 64MFlash功能：64M（4M×16）Flash寄存器； 读/写操作电压范围：2.7～3.1V； 高性能：异步存取时间：70/85ns； 扇区擦除架构：8个带有个别写锁定的4K字扇区，带有个别写锁定的32K字主扇区； 典型的扇区擦除时间：32K字扇区需500ms，4K字扇区需100ms； 64M，4层结构，当其他3层并行读操作时不被编程/擦除：寄存器层A：寄存器的16M，包括8个4K字扇区； 寄存器层B：寄存器的16M，由32K字的扇区组成； 寄存器层C：寄存器的16M，由32K字的扇区组成；寄存器层D：寄存器的16M，由32K字的扇区组成； 低功耗操作：正常工作时为30mA，待机时为35μA； 用于写保护和加速编程操作的VPP引脚，用于设各初始化的RESET引脚；顶部或底部的启动块配置提供； 128位保护寄存器； 共用闪存接口（CFI）； 16M PSRAM功能：16M（1M×16）；操作电压范围：2.7～3.1V； 读取时间：70ns；Flash启动块：底部启动

  • 引脚图：

    AT52BC6402AT引脚图

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