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AT52BR6408AT-85CI
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./2023+
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AT52BR6408AT-85CI
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原厂原装现货
AT52BR6408AT-85CI
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原厂原装现货
AT52BR6408AT-85CI
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原装 部分现货量大期货
其它信息:
层叠式存储模块功能:64M Flash+8M SRAM,电源电压:2.7~3.1V; 数据I/O×16,66引脚的CBGA封装64M Flash功能:64M(4M×16)Flash寄存器; 读/写操作电压范围:2.7~3.1V; 高性能:异步存取时间:70/85ns; 扇区擦除架构:8个带有个别写锁定的4K字扇区,带有个别写锁定的32K字主扇区; 典型的扇区擦除时间:32K字扇区需500ms,4K字扇区需100ms; 64M,4层结构,当其他3层并行读操作时不被编程/擦除:寄存器层A:寄存器的16M,包括8个4K字扇区; 寄存器层B:寄存器的16M,曲32K字的扇区组成; 寄存器层C:寄存器的16M,由32K字的扇区组成;寄存器层D:寄存器的16M,由32K字的扇区组成; 低功耗操作:正常工作时为30mA,待机时为10μA; 用于写保护和加速编程操作的VPP引脚,用于设各初始化的RESET引脚;顶部或底部的启动块配置提供; 128位保护寄存器; 共用闪存接口(CFI); 8MSRAM功能:8M(512K×16); 操作电压范围:2.7~3.1V; 读取时间:70ns; 低功率:正常工作时为2mA(典型值),待机时为1μA(典型值); 工业级温度范围; Flash启动块:顶部启动; 工作温度范围:工业级温度- 40~85℃; 存取时间:85ns
引脚图:
IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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