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BAV70DW

更新时间:2024-04-24 13:46:25
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BAV70DW 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IFM=300mA/IO=150mA/IR(UR=75V)=2.5μA
    电压参数：URM=100V/URRM=URWM=UR=75V/UR(RMS)=53V/U(BR)R(IR=2.5μA)=75V/UF(IF=1mA)=0.715V
    功  率：PD=200mW
    其他参数：trr=4μs
    备  注：贴片开关二极管

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BAV70DW外观图

  • 大小：181.71KB
  • 厂家：TD
  • 描述：Dated: 26/05/2015 Rev: 01 TOP DYNAMIC BAV70DW Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features ? Fast switching speed ? Ultra-small surface mount package ? For general purpose switching applications ? High conductance Absolute Maximum Ratings (T a = 25 ℃) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 100 V Reverse Voltage V R 100 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 200 mA Forward Continuous Current I FM 450 mA Non-Repetitive Peak Forward Current t = 1 μs t = 1 ms t = 1 s I FSM 4 1 0.5 A Power Dissipation P tot 350 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient R ?JA 625 ℃/W Operating and Storage Temperature Range T j , T stg - 65 to + 150 ℃ Characteristics at T a = 25 ℃ Parameter Symbol Min. Max. Unit Forward Voltage at I F = 1 mA at I F = 10 mA at I F = 50 mA at I F = 150 mA V F - - - - 0.715 0.855 1 1.25 V Peak Reverse Current at V R = 25 V at V R = 80 V
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