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BC639G

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BC639G外观图

  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:BC639G-NDBC639GOS
BC639G 相关信息
  • BC639G的技术参数
    产品型号:BC639G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):160最小电流增益带宽乘积fT(MHz):60封装/温度(℃):TO92/-55~150价格/1片(套):¥.60 来源:零八我的爱
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