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BSC100N03MSG

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BSC100N03MSG外观图

  • 数据列表:BSC100N03MS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单路
  • 系列:OptiMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 30A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:23nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 15V
  • 功率 - 最大:30W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装:PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BSC100N03MSGINTR BSC100N03MSGXT SP000311515
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