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BSO612CV

更新时间:2024-03-27 23:51:49
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BSO612CV外观图

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:SIPMOS®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A,2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 20µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:340pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:P-DSO-8
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BSO612CVINTRSP000012292
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