其它信息：
快速读取时间：120/150ns；低功耗CMOS损耗：正常工作，50mA(最大值)，待机：200μA(最大值)； 简单的写操作：对芯片的地址和数据锁存，写入时自动清除存储器内容；快速写周期时间，5ms(最大值)；CMOS和TTL兼容I/O口；硬件和软件写保护；自动页写入操作：在5ms时间内写入1～128字节，页载入计时器；最后写检测：触发位，DATA轮询；硬件和软件写保护；100000次编榀/擦除周期；100年数据保留时间；商业级、工业级和汽车级温度范围
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