Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT
出处:lywzn 发布于:2007-12-06 10:23:20
安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说:“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列,从而使设计更灵活,并实现的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出,在业内是电源功耗少且热性能。我们已将该系列扩展到20个以上的产品,在目前市场上高性能BJT方面为设计工程师提供多的选择。
新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压,高速转换应用设计而成,其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV) – 和高电流增益。它们具有 >8,000伏 (V)的出色静电放电 (ESD)耐受性,可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低,提高了电源效率,并终提高了电池电力保持能力。
SOT-23是业内的封装之一,且价格。SOT-563是的新型BJT封装(1.6 mm x 1.6 mm x 1.0 mm)。 两种WDFN封装为2.0 mm x 2.0 mm,并且高度低,为0.7 mm,是目前市场上便携式应用中的热效率的。3.0 mm x2.0 mm x1.0 mm的ChipFET的整体性能。
这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。
完整的低Vce(sat) BJT系列备有多种行业的封装,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 使用 GaN IC 离线电源的大容量电容器优化2024/4/24 17:30:57
- 并联电压电池2024/4/23 17:45:00
- 运算放大器压摆率和上升时间解释2024/4/22 16:16:53
- B 类放大器的组成及其特性概述2024/4/16 17:22:23
- GaN 基高频 LLC 谐振转换器的设计注意事项2024/4/15 17:21:58