多孔硅上制备大光子带隙的单量子点与半导体微腔的强耦合三维光子...

出处:bear118 发布于:2007-04-29 03:49:33

三维光子晶体由于存在完全的三维光子带隙而日益引起人们的兴趣。虽然人们已经能够制备出光子晶体,但是制备出带隙在近红外或者可见光波段的光子晶体结构还是很困难的。美国加利福尼亚技术研究所的J. Schilling等人用光电化学方法和聚焦离子束技术相结合,用聚焦离子束在已经制备出一个方向上光子晶体结构的多孔硅上制备了另外一个维度的光子晶体结构,形成六方格子正交结构的光子晶体,并进行了光学性能方面的测试。光致发光数据显示的强关联也显示了被激发的量子点和腔体模式下的散射效应是不同的。该成果发表在APL., 862005011101上。



  
关键词:半导体耦合

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