绝缘栅型场效应管（MOS管）

出处：khsb 发布于：2008-04-23 10:10:00

　　1.绝缘栅型场效应管的结构
　　绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从SiO2上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，可这1x1012Ω以上，而输入电流几乎为零。
　　绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样，有N沟道和P沟道两种类型，每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图中(a)为增强型，(b)为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N区，引出的电极即为源极和漏极。当UGs=O时，漏源极已存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管;必须在|UGS|＞0的情况下才能形成导电沟道的，称为增强型场效应管。
　　另外，从衬底基片上还引出一个电极，称为衬底电极B。在分立元件中，常将B电极与源极S相连。

绝缘栅型场效应管结构示意图

　　绝缘栅型场效应管结构示意图
　　综上所述，绝缘栅型场效应管有四种不同的类型，即N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。它们的代表符号如图a所示。

绝缘栅型场效应管的代表符号

　　2.绝缘栅型场效应管的特性曲线
　　N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图b所示，它基本上与沟道结型场效应管的特性一致。

沟道耗尽型绝缘栅型场效应管特性曲线

　　N沟道增强型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图所示。从转移特性曲线上可以看出，当UGS小于开启电压UT时，ID≈O。只有当UGS等于开启电压UT时，才开始形成导电沟道，此时当UGS迸一步增加时，斤也开始增大。

　　UDS为正值增大时，ID将随UDS的增大而增大。当UDS增大到UDs=UGS-UT时，导电沟道被夹断，这时若再增大UDS，ID仍保持恒定而不再增加，即处于饱和区。对应不同的UGS值，沟道的深浅不同，所以夹断后的ID值各不相同，从而形成一组特性曲线。

N沟道增强型绝缘栅型效应管特性曲线