肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。图（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。图（b）是其等效电路。这种形式的电路是威廉姆·肖特基（WilliamSchottky）在1938年研究多数载流子的整流现象时提出的。

　　“肖特基势垒”是一种量子力学势垒，形成于金属和半导体的界面处。反向偏置电压增加时势垒也增加，正向偏置时势垒减少（或者接近消失）。反向偏置时半导体材料的电子没有足够的能量越过势垒，所以此时没有电流。当正向偏置时，势垒减少直至电子可以穿过它，从半导体流入金属区域。

　　结二极管的微波频段性能的关键取决于它的开关时间，有时也叫开关速度。一般来讲，开关速度越快（即开关时间越短），其工作频率也越高。普通PN结二极管的开关时间主要由半导体内的少数载流子所决定。少数载流子一般处在静止或者“储能”状态，所以不会由于电势的变化很轻易地快速移动。但是多数载流子可移动性更强，因此可以迅速地响应电场的变化。而肖特基二极管就是靠多数载流子来完成开关操作，所以它工作时可以达到很高的开关速度，很多型号可以工作到微波频段。

　　工作速度也是电路分布参数如RLC（图（b））的函数。工作到微波频段的肖特基二极管，其串联阻值为3～10Ω，电容为1μF，串联导线电感为1nH或者更小。

　　肖特基二极管为一个整流元件，广泛应用于混频器和检波电路中。双平衡混频器（DBM）电路通常是由一组匹配的肖特基二极管组成。双平衡混频器可用于超外差接收和产生抑制载波的双边带信号，还可以用于相敏检波器。许多双平衡混频器工作到微波频谱的低端。
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