IDT推出DDR3内存模块高温度传感器
出处:zj_hfp 发布于:2010-01-27 11:03:17
IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以效率运行,通过监测各子系统的温度来节省总电力,提高可靠性和性能。
全新的IDT温度传感器可测量计算子系统的局部温度,一旦温度上升超过预定水平,系统控制器就会通过控制系统带宽、调整内存刷新率或改变风扇速度进行响应。此外,如果温度达到临界点,新的IDT温度传感器可以触发一个子系统关闭,从而提高可靠性。IDT 的产品包括一个独立温度传感器(TS3000B3),以及一个集成在单片片芯上的非易失内存用户信息的256字节 EEPROM阵列,如内存模块的串行存在探测(SPD)的系统配置信息。
全新的IDT温度传感器系列是首款超过了美国电子工程设计发展联合会为B级别温度传感器规定的JC42.4规范要求的产品,可在-20~+125℃之间的整个温度范围内提供 ±1℃的温度传感,从而提供了更好的系统。该器件还集成了一个创新的模数转换器,可提供高达12位(0.0625℃)的可编程分辨率和业界的转换时间,大大改进了整个温度范围热控回路的整体。
IDT企业计算部副总裁兼总经理Mario Montana表示:“众所周知,IDT与客户携手合作,在先进内存缓冲器和PCI Express交换器中集成了嵌入式温度传感器,这样我们就可以为客户带来空前的电力节省,与我们PowerSmart 理念相符。新器件进一步使超过行业标准的独立温度传感器专长发挥到了。”
此外,温度传感器完全支持SMBus 和I2C编程接口,包括SMBus超时和I2C快速模式、输入干扰过滤和上电滞后——所有这些都旨在提高容错能力。这种性能与功能结合使IDT 器件改善了每瓦性能,是强大计算系统的理想之选。
供货
IDT 温度传感器件已向合格客户提供样品。器件采用符合 RoHS 规范的 8 引脚 DFN 和 TDFN 封装。
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