Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品

出处:chaojijing 发布于:2010-05-25 10:11:27 | 3928 次阅读

  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品,能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案需求;透过飞兆先进的PowerTrench MOSFET制程技术,实现了更低功耗与传导损耗等性能优势。

  由于此一先进的MicroFET MOSFET产品组合,设计人员便能挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的系列产品备有数种常用的拓扑选择,包括单P信道和萧特基二极管组合、单N信道和肖特基二极管组合、双P信道、双N信道、互补对(complementary pair)、单N信道和单P信道组件。

  这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术,能够实现非常低的RDS(ON)、整体闸极电荷(QNsub>G)和米勒电荷(QGD),因而获得出色的传导和开关性能及热效率。相较于传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

  飞兆快捷半导体可提供最广泛且具有增强热性能的超紧密薄型1.6mm×1.6mm和2mm×2mm MicroFET组件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET能够作为可携式应用的理想选择。



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