Intel与Micron推出世界首款20纳米128Gb多层单元(MLC)器件

出处:cby981541 发布于:2011-12-07 11:24:45 | 2356 次阅读

      Intel 公司和Micron Technology公司宣布推出NAND闪存技术新基准 flash technology –-世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。这两家公司还宣布其64Gb、20纳米NAND器件已投入生产,进一步提高了该两家公司在NAND制程技术上的领导地位。

  采用Intel和Micron合资的IM闪存技术 (IMFT) 公司开发的新款20纳米、 128Gb单片器件是业界第一只能存储1兆兆位(TB)数据的器件,在其仅仅指尖大小的空间内封装了8片裸片。新款20纳米、128Gb MLC NAND器件的存储容量和性能是该两家公司现有20纳米、 64Gb NAND器件的二倍。该 128Gb器件满足高速ONFI 3.0规范的要求,可达到333兆/秒(MT/s)的传输率,为客户提供一个更具成本效益的超薄,流线造型优美产品设计,例如平板电脑智能手机和大容量 固态硬盘(SSD)等。

  它们在20纳米制程技术上取得成功的关键是由于采用了一种创新的单元结构,其比传统结构能容纳更大规模的单元。它们的20纳米NAND器件采用 一种平面式单元结构--这在本行业是首次采用--以克服与先进制程技术伴随而来的内在困难,这使得其性能和可靠性与与上一代产品媲美。由于在NAND产品 上集成了第一Hi-K/金属栅栈,这种平面式单元结构成功地突破了标准NAND浮动栅的比例瓶颈

0次

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,http://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。