瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。

　　I型(CC型)特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

　　II型(CT型)特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

　　CC1型圆片高频瓷介电容器：适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。

　　允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96%

　　CT1型圆形低频瓷介电容：环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101-472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)

　　CC01圆形瓷介电容：环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)

　　CT01圆形瓷片电容：环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg 绝缘电阻：1000mohm 允差：+80 -20%容量：1000-47000p工作电压：63v 试验电压：200v

　　独石瓷介电容器：

　　CC4D独石瓷介电容器：环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA 容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

　　CT4D独石瓷介电容器：环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA 容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

　　CC2,CT2管形瓷介电容器：与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

　　CC10 超高频瓷介电容：环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

　　允差：k容量：1-47p工作电压：500v

　　CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

　　环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1-4kv 试验电压：2.5-8kv允差：K,M

　　CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

　　CC3 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

　　CCTD 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

　　CCTF 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

　　CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

　　该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

　　CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm

　　CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm

　　CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

　　CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA电流：25A 重量：1.3KG

更多关于瓷介电容器的介绍请参考：https://www.dzsc.com/product/searchfile/1271.html