生荣电子:半导体器件损坏的特点和检测方法
出处:烟波游徒 发布于:2012-12-19 11:23:12
半导体器件损坏的特点
二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。(更多半导体相关的产品信息,请点击https://hyg.dzsc.com/model.asp)
半导体器件的检测方法
用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档,不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结正、反向电阻,如果正向电阻不太大(相对正常值),反向电阻足够大(相对正向值),表明该PN结正常,反之就值得怀疑,需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上,用万用表低阻值档在路测量,可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。
|1N4007|FR107|UF4007|1N5408|1N5819|SR360|SR5100|SR3100|1N5822|FR307|HER307|
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