ST推出第二代串联二极管可替代碳化硅二极管

出处:国际电子商情 发布于:2013-09-23 11:12:02

  日前,意法半导体(ST)推出第二代串联二极管(tandem diodes),此款二极管产品能够限度降低开关损耗,能效优势高于标准超高速二极管。

  

  新产品包括平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与12A的STTH12T06DI,属于意法半导体600V串联二极管系列。设计人员以高成本效益的方式提升设备能效,目标应用包括电源太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。

  主要特性:

  ●平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与12A的STTH12T06DI

  ●QRR 参数与代产品相比变低

  ●工作结温范围宽达 -40°C到 175°C

  ●价格比碳化硅二极管低至少30%

  ●采用TO-220AC绝缘散热柱型封装

  与代产品相比,新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QRR,reverse-recovery charge),从而能够限度降低开关损耗,能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度,缩短设备厂商的新产品上市时间。新产品性能可与碳化硅二极管相媲美,但价格比碳化硅二极管低至少30%.

  新产品的正向涌流峰值与超高速二极管相同,确保稳健性和可靠性,工作结温范围宽达 -40°C到 175°C.采用TO-220AC绝缘散热柱型封装,三款器件现已全部投入量产。

关键词:二极管

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