Flash存储器闪存工作原理及具体步骤
出处:维库电子市场网 发布于:2023-06-30 15:46:35
什么是闪存?了解闪存的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。
闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。
与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层),但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。
场效应管工作原理
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
闪存采用MOSFET来存放数据
数据就存放在floaTIng gate(悬浮门)之中,一个门可以存放1bit数据
门中电压有个阈值Vth
如果检测到电压超过Vth,那么便认为这个bit是0
数据的写入和擦除,都通过controlgate来完成。
至于具体的步骤。
涉及到半导体基础知识,如果需要了解,请参考模拟电路相关书籍。
这是一个比特,对于闪存来说,
这是一个闪存颗粒的内部结构,每一行是其中一个page,一个page由33792个刚才那样的门组成。
共4KByte,注意这里单位是千字节1Byte=8bit 这里总共有64个page,组成了一个block。
wordline是字线,由其控制读取和写入,所以page是的读写单位 而这个block是的擦除单位。
我们知道闪存颗粒分为SLC MLC TLC 这就是因为对电压的分级不同。
SLC将电压分为2级,大于Vth表示0小于Vth表示1,一个CELL只表示1个bit MLC是MulTI-Level Cell,将电压分为4份,分别可以表示00 01 10 11,一个CELL表示2个bit TLC是Triple-Level Cell,将电压分为8份,可以表示000 001 010 011 100 101 110 111 一个CELL表示3个bit。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- TI - 电池储能系统需要克服的三大设计挑战2024/4/24 15:46:55
- ram与rom的主要区分2024/4/12 17:48:19
- 什么是储能电池2024/4/3 17:34:46
- 一文解析HBM技术原理及优势2024/3/29 17:53:22
- 什么是存储芯片?2024/3/26 17:55:30