内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
出处:维库电子市场网 发布于:2017-12-25 14:44:48
BD9G341AEFJ是作为功率开关内置额定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC转换器用IC,仅需增加很少外置元器件,即可构建高性能的高耐压DC/DC转换器。一般高耐压的DC/DC转换器采用外置高耐压MOSFET的电路结构来实现高耐压的情况较多,而BD9G341AEFJ为减少安装面积并简化设计,IC设计采用内置高耐压MOSFET结构,这需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外,内置MOSFET的导通电阻很低,仅为150mΩ,有利于提高效率。
BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置,而续流二极管为外置。续流二极管是肖特基势垒二极管,需要能够容许电路输入电压的高耐压品。ROHM拥有适合开关电源的各种二极管,因此还可一并供应BD9G341AEFJ所需的肖特基势垒二极管。
下面是主要特点和标准电路例。通过采用电流模式控制,相位补偿简单,可获得高速的瞬态响应。开关频率可在50kHz~750kHz之间设置,因此可优化尺寸与效率。另外还搭载了所需的几乎所有的保护功能,这也是该产品的特点之一。
<特点>
内置额定80V/3.5A、
Ron 150mΩ的Nch MOSFET
输出电流:3A
输入电压范围:12V~76V
输出电压范围:1.0V~输入电压
开关频率(可变):50kHz~750kHz
通过电流模式实现高速瞬态响应
基准电压:1.0V±1.5%(25℃)、
±2%(整个温度范围)
高EN阈值±3%
软启动功能
待机功能
搭载过电流保护(OCP)、防止低输入误动作(UVLO)、
温度保护电路(TSD)、过电压保护(OVP)
工作温度范围:-40℃~+85℃
封装:HTSOP-J8(4.9 x 6.0 x 1.0mm)
<电路例>
BD9G341AEFJ:实现业界的80V高耐压与高效率的DC/DC转换器
开发的关键词为“80V高耐压”“高效率”“高可靠性”“小型”
80V耐压DC/DC转换器IC的定位与市场
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