什么是DRAM?

　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

　　工作原理

　　动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

　　DRAM数据线

　　3管动态RAM的基本存储电路如图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

　　写操作时，写选择线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

　　读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时，Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电，此时读得的信息为“0”，正好和原存信息相反;若原存信息为“0”，则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为“1”。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反，所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

　　什么是NAND?

　　NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

　　工作原理

　　闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。

　　EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。

　　EPROM基本单元结构

　　EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

　　EEPROM单元结构

　　闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用级浮空栅与漏极之间的隧道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，

　　NAND闪存单元结构

　　NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作。虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。