安森美半导体的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块，优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。
　　与分立方案相比，FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB面积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单(BOM)器件的数量也显着减少，实现供应链和装配的高效。

　　如果PCB面积不是问题，那FDMF8811可有助于在现有的PCB面积内提高设计的输出功率。例如，这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构，如有源钳位正激、反激式或推拉式，转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。
　　FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。
　　通过集成所有的关键动力传动元件，安森美半导体已经能优化该模块的驱动器和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS（ON），从而保持尽可能的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大降低电压应力和电磁干扰(EMI)，提高系统的可靠性。

　　采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化，以在能效水平达到的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，实在没有理由再使用分立器件！
　　欲观看FDMF8811概述视频了解更多关于该产品的优势，请见链接：https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/supportVideo.dodocId=1009655&utm_source=ON-blog&utm_medium=blog&utm_term=&utm_content=link-FDMF8811-video-page&utm_campaign=BPS100_2017。