本文主要介绍的是ARM里的RAM和SDRAM有什么区别，首先介绍了RAM的类别及特点，其次对SDRAM做了详细阐述，介绍了RAM和SDRAM的区别是什么。

　　RAM介绍

　　Random-Access Memory（随机存取存储器），在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器［或者内存储器和外存储器］，主存储器简称内存，内存在电脑中起着举足轻重的作用，一般采用半导体存储单元。因为RAM是内存其中重要的存储器，所以通常我们直接称之为内存。内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。

　　RAM就是既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有 128M／条、256M／条、512M／条等。

　　RAM的类别

　　根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。

　　静态随机存储器（SRAM）

　　静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。

　　动态随机存储器（DRAM）

　　动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。

　　RAM的特点

　　1、随机存取

　　所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（SequenTIal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。

　　2、易失性

　　当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。

　　3、对静电敏感

　　正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

　　4、访问速度

　　现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。

　　5、需要刷新（再生）

　　现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

　　SDRAM介绍

　　SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM更快。

　　SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

　　代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号，第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。

　　SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。

　　之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。

　　DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。

　　很多人将SDRAM错误的理解为代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导，SDR不等于SDRAM。

　　Pin：模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。

　　SIMM：Sigle In-line Memory Module，单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。

　　DIMM：Double In-line Memory Module，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。

　　RDIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块

　　SO-DIMM：笔记本常用的内存模组。

　　工作电压：

　　SDR：3.3V

　　DDR：2.5V

　　DDR2：1.8V

　　DDR3：1.5V

　　ARM里的RAM和SDRAM有什么区别

　　RAM包括SRAM和DRAM，前者是静态随机存储器，主要是依靠触发器存储数据，无需刷新，而后者是动态随机存储器，依靠MOSFET中栅电容存储数据，需不断刷新以补充释放的电荷。由于单管就可以实现数据存储，集成度可以做到更高，功耗也更低，更为主流。需要注意的是由于刷新牵涉电容的充放电过程，DRAM的存取速度不及SRAM。

　　至于SDRAM，为同步动态随机存储器，属于DRAM的一种，其工作过程需要同步时钟的配合，因此可以不考虑路线延时不同的影响，避免不定态。普通的DRAM属于异步传输，存取数据时，必须等待若干个时钟以后才进行操作（考虑不定态），因为会花费较多的时间，影响了数据的传输速率。随着时钟频率的不断增高，这个瓶颈的限制就会越来越明显，SDRAM的优势也就更能体现出来。