英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
出处: EEWORLD 发布于:2018-08-27 16:54:53
950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻,能实现更高密度的设计。此外,出色的VGS(th)和VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。与英飞凌业界的P7系列其他成员类似的是,该器件集成齐纳二极管ESD保护机制。这可以提高装配生产量,从而降低成本,并减少与ESD有关的生产问题。
950 V CoolMOS P7能使效率提升达1%,并且MOSFET温度得以降低2 ?C到10 ?C,实现更高能效的设计。相比前几代CoolMOS系列而言,该器件还将开关损耗降低达58%。较之市场上的竞争技术,这方面的性能提升超过50%。
950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封装。这样就可以从通孔插装器件(THD)变为表面贴装器件(SMD)。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 什么是NTC热敏电阻?2024/4/15 17:09:17
- 什么是功率电阻?2024/4/12 17:08:13
- lm317引脚图及功能_工作原理及应用电路2024/4/11 17:49:22
- 射频变压器如何实现宽带阻抗变换2024/4/8 17:00:07
- 变压器中的磁化和励磁电流波形2024/4/7 17:18:52