继电器驱动保护电路设计
出处:电子发烧友 发布于:2019-01-18 14:38:44
个因素是继电器的热开启问题
我们知道继电器要成功开启,特别是高温下是需要一定的电流的,由于高温的影响,电阻增大,使得需要的启动电压也上升了,因此一般可以得到温度和电压的图,如图所示:
达林顿管的饱和电压要比普通的三极管高一些。
我们采用这样的设计将使得反接保护二极管的电压和达灵顿的饱和电压一起产生压降,在高温下,继电器可能无法吸合
继电器驱动保护电路设计
因此RELAY供应商往往不推荐使用这样的设计,如图所示:
不觉得上面这个设计比前面一个设计好多少,不过如果这样设计的话,问题可以解决一部分。
驱动电路的保护问题
感性负载固有关断有瞬态电压的问题,这个屡次经过计算,加二极管续流的问题是以继电器本身的寿命为代价的,这并不合算。如果不加续流二极管,则需要考虑这部分能量怎么泻放的问题继电器驱动保护电路设计
后三种方案可选择,不过稳压管,但是速度较慢。
三极管为什么会坏?
三极管的软击穿
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿,只要外电路限制击穿后的电流,管子就不会损坏,待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后,管子也就恢复到正常工作,因此这种击穿是可逆的,不是破坏性的。
三极管的二次击穿
如果上述击穿后,电流不加限制,就会出现集电极电压迅速减小,集电极电流迅速增大的现象,通常将这种现象称为二次击穿。发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高,如此反复作用,导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量。
一个问题是反接保护的问题
这是一个讨厌的问题,二极管的问题是压降,如果使用PMOS或者NMOS呢,COIL的反电压容易对PMOS产生影响,因此请大家慎重选择反接保护电路。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- I2C系统适应性引体向上2024/4/12 17:03:24
- RS-232 和 RS-485 有什么区别?2024/4/11 16:24:08
- spi接口的基本概念2024/4/10 17:52:03
- 总线收发器教程2024/4/8 16:19:32
- 什么是rj45接口?rj45接口有什么用2024/4/2 17:43:28