Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
出处:电子产品世界 发布于:2019-01-28 14:18:59
提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术,涵盖需要高压输入到低压输出的各种电子系统。随着SiHH068N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品,我们可在设计电源系统架构的初期满足提高能效和功率密度的要求—包括功率因数校正和硬切换DC/DC转换器拓扑结构。
SiHH068N60E采用Vishay的高能效E系列超级结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.059 Ω,超低栅极电荷下降到53 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效输出电容Co(er)和Co(tr) 分别仅为94 pf和591 pF,可改善开关性能。这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗,从而达到节能效果。
日前发布的器件采用PowerPAK? 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,可承受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 什么是NTC热敏电阻?2024/4/15 17:09:17
- 什么是功率电阻?2024/4/12 17:08:13
- lm317引脚图及功能_工作原理及应用电路2024/4/11 17:49:22
- 射频变压器如何实现宽带阻抗变换2024/4/8 17:00:07
- 变压器中的磁化和励磁电流波形2024/4/7 17:18:52