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ST - 稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

出处:维库电子市场网 发布于:2019-03-08 16:12:20 | 533 次阅读

  意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
  1. 前言
  EPS和EPB系统均由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。电动伺服单元将电机的旋转运动传给机械齿轮单元,进行扭矩放大,执行机械动作。电动伺服单元是用功率MOSFET实现的两相或三相逆变器,如图1所示。


  图1. EPS和EPB系统的伺服单元拓扑
  图中负载是一台电机,通常是永磁无刷直流电机(BLDC),由一个12V电池进行供电。
  2. 汽车对功率MOSFET的要求
  EPS和EPB逆变器所用的40V功率MOSFET,要想符合AEC Q101汽车认证标准,必须满足以下所有要求:
  1.开关损耗和导通损耗非常低
  2.输出电流大
  3. Ciss/Crss比值小,EMI抗扰性强
  4.优异的耐雪崩性能
  5.出色的过流和短路保护
  6.热管理和散热效率高
  7.采用稳定的SMD封装
  8.抗负载突降和ESD能力优异
  2.1. AEC Q101功率MOSFET的参数测量值
  我们选择一些符合EPS和EPB系统要求的竞品,与意法半导体的40V汽车功率MOSFET进行对比实验。表1列出了意法半导体的STL285N4F7AG汽车40V功率MOSFET和同级竞品的主要参数测量值。
  BVdss (V) @250A
  Vth
  (V) @250A
  Vsd
  (mV) @48A
  RDSon
  (m) @10V,48A
  Rg

  Ciss (pF) @25V
  Crss
  (pF) @25V
  Coss (pF) @25V
  竞品
  46.80
  2.89
  755
  0.6
  2.5
  8450
  136
  4350
  STL285N4F7AG
  46.34
  3.43
  790
  1.0
  1.2
  5600
  38
  2350
  表1. STL285N4F7AG与竞品参数测量值比较表
  由于两个安全系统的工作电压都是在12V-13.5V区间,功率MOSFET的标称电压是40V,因此,只要确保击穿电压(BVdss)接近46V,就能正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。为抑制导通期间的压差,静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小,开关损耗才能降至最低,从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数,有助于防止米勒效应导致的任何异常导通,并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率,配合体-漏二极管Qrr反向恢复电荷和反向恢复软度,可显着降低器件对EMI的敏感度。


  为满足低耗散功率和电磁干扰的要求,STL285N4F7AG优化了电容比值(Crss/Ciss)。
   STL285N4F7AG与竞品的Crss/Ciss电容比测量值比较此外,图3所示是意法半导体的STL285N4F7AG的体-漏二极管与竞品的性能测量值比较图。


  图3:STL285N4F7AG与竞品的体-漏二极管性能测量值比较测量参数表明,对于一个固定的di/dt值,STL285N4F7AG的反向恢复电荷(Qrr)和恢复时间(Trr)都小于竞品,这个特性的好处归纳如下:
  -  低Qrr可降低逆变器在开启时的动态损耗,并优化功率级的EMI特性;-  更好的Trr可改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值。在续流期间电流流过体 漏二极管时,Trr是导致电桥故障的常见主要原因。
  因此,dv/dt是保证闩锁效应耐受能力的重要参数,测量结果显示,意法半导体产品的dv/dt性能(图4)优于竞品(图5)。


  图4. STL285N4F7AG的dv/dt t测量值


  图5. 竞品的dv/dt测量值
  2.2. 短路实验性能测试
  我们通过一个短路实验来测量、验证意法半导体40V汽车功率MOSFET在汽车安全应用中的稳定性。电子系统可能因各种原因而发生短路,例如,存在湿气、缺乏绝缘保护、电气部件意外接触和电压过高。因为短路通常是意外造成的,所以短路很少是永久的,一般持续几微秒。在短路期间,整个系统,特别是功率级必须承受多个高电流事件。我们用STL285N4F7AG和测试板做了一个短路实验,测量结果如图6所示:


    图6:测试板
  按照以下步骤完成实验:
  1)用曲线测量仪预先测试主要电气参数;
  2)测试板加热至135°C,并施加两次10μs的短路脉冲,间隔小于1s。限流器保护功能激活做一次实验,不激活做一次实验。
  3)对器件进行去焊处理,并再次测量主要电气参数,检查功率MOSFET的完整性或性能衰减。
  测量结果如图7所示。


  图7:STL285N4F7AG短路测试
  在短路事件过程中测量到的实际电流值是在2000A范围内,脉冲持续时间为10μs。我们进行了十次测试,Tperiod = 5s。STL285N4F7AG成功地承受住短路冲击,未发生任何故障;但当电流值大于2400A时,出现故障(图8)。
    实验数据表明,意法半导体最先进的AEC-Q101 40V功率MOSFET可轻松符合汽车安全系统的严格要求。因此,意法半导体的新沟槽N沟道器件是汽车EPS和EPB系统的最佳选择。

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