CN5610应用电路图
出处:aijia 发布于:2010-02-12 00:00:00 | 2105 次阅读
图:CN5610应用电路图
其中:
L1 为电感
流经电阻R6 的电流应该能够满足稳压二极管击穿的需要,也要为CN5610 提供大约1 毫安的工作电流。
C1 是VDD 滤波电容,电容值为10uF
D1 是稳压二极管,因为D1 的击穿电压即是CN5610 的工作电压,所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管M1。对高压场效应晶体管,击穿电压应该在5.8V 左右。
D2 为整流二极管,采用肖特基二极管可以提高转换效率
Q1 和Q2 是通用PNP 三极管,其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200V 的应用,可以选择A94。
M1 是N 型场效应晶体管,其型号的选择主要根据漏-源承受的电压确定的,使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200V 的输入电压,可以选择IRF840 等型号。
R2 用来设置Q2 的集电极电流,该电流可设置在100 微安左右。
R3 设置三极管Q1 的集电极电流,使得该电流等于Q2 的集电极电流。
R4 用来调整最小电感电流。
R5 用来调整电感电流。
R1,R3, R4 和 R5 共同决定了电感电流和最小电感电流,具体公式如下:
电感电流Imax:
Imax=(0.3×R3)/(R1×R5)……………………………(1)
最小电感电流Imin:
Imin=(1.22×R3)/(R1×(R4+R5))……………………(2)
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