其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率...
基于人工智能算法的压力控制系统，通过智能PID调节器实现对水箱主管路压力的动态控制。主控制对象为设备下水箱主管路中的瞬时压力，实验过程以水作为被控介质，压力变送器作变送单元，PID调节器作为调节单元，变频器...
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备...
将两个或两个以上电阻依次连接起来，中间无分支的连接方式叫做串联。如图。电阻串联电路具有以下特点：（1）流过每个电阻的电流都相等，即电流强度处处相等。（2）电路两端的总电压等于各电阻两端的电压之和。（3） ...
第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...
对于咱们电源工程师来讲，很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，...
MOSFET 技术自问世以来就被广泛认为是电源管理电路中开关的绝佳选择。自 20 世纪 70 年代后期开始商用，垂直扩散 MOSFET (VDMOS) 结构率先满足了电源开关的需求。1由于其卓越的开关性能和高输入阻抗，MOSFET 迅速成...
了解 I 2 C 及其带来的一些设计挑战，包括逻辑阈值、影响电容的因素以及最小和最大上拉电阻。本文介绍了哪些变量会影响总线的电容。它还着眼于用于确定上拉电阻大小和确定电路走线的最大长度的数学计算。让我们从讨...
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对...
随着半导体器件的应用越来越广泛，制造高能效产品成为研究人员和制造商的首要关注点。 肖特基势垒二极管 (SBD) 是引起研究人员和制造商兴趣以实现高功率和高温应用目标的一个关键组件。由于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (G...
通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价...
在做射频的时候，选择电感电容时特别关注他们的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它为什么重要？品质因数Q：表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q...
分类：元器件应用 时间：2023-07-17 阅读：54
MLCC——多层片式陶瓷电容器，简称贴片电容，会引起噪声啸叫问题……随着人们对电子设备的需求趋于平静，在笔记本电脑、手机、数码相机 (DSC) 等各种应用设备的电源电路方面，以前未引起重视的由电容器振动所产生的...
分类：元器件应用 时间：2023-04-21 阅读：379
MOS管是一种电压型控制器件，具有开挂速度快，输入阻抗高，驱动功率小等一系列优点1、直接驱动2、推挽驱动当驱动IC的驱动能力不足时，我们采用推挽驱动，这中驱动方式不仅增加了驱动能力，而且也加速了关断时间。3、...
一般在电源的输出端都会有一个或多个电容，其主要作 用是维持输出稳定，同时也过滤掉一些不必要的交流成分。因此人们经常认为电容是解决输出不稳或噪声问题 的灵丹妙药，设计时常常会多预留几个电容用于解决问 题，...
分类：元器件应用 时间：2023-04-21 阅读：536
了解 X 类和 Y 类电容器、它们的使用位置以及它们被称为“安全”电容器的原因。一类特殊的电容器X 类和 Y 类电容器经过安全认证，通常设计用于许多电子设备应用中的交流线路滤波。这些安全电容器也有其他名称，包括E...
继电器的应用，相信大家都知道，在电路中只要给它供电、断电也就可以工作了。然而，它的应用细节，不知道大家有没注意 。下面谈谈我的观点一、现在流行的接法，如图。图中，继电器的线圈经过Q1作为开关，使其导通与...
1、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制...
分类：元器件应用 时间：2023-04-19 阅读：295
对于Boost电路，跟Buck电路一样都有同步与非同步。如.19所示，非同步Boost是有一个开关管和一个二极管，而同步Boost是两个开关管。.19 DCM模式下Boost电路的电感的实测波形对于Boost电路，小电流场景下，有一些控制...
击穿 SiC/GaN 与 Si/Ge假设我们要解决一个问题分为以下两点：解释WBG二极管的击穿现象，证明图 1 和图 2 中显示的图表的合理性使用什么标准可以估计图 3 的 δV，以免损害齐纳二极管的稳定特性？图 1：Si/Ge 二极管...
分类：元器件应用 时间：2023-04-18 阅读：323 关键词：SiC/Ge 二极管
