低压差线性稳压器，是硬件人员熟悉的不能再熟悉的一种器件了，这是一种线性的降压型的电源管理芯片。它的基本电路如所示，该电路由串联调整管VT、取样电阻R1和R2、比较放大器A组成。取样电压加在比较器A的同相输入端...
对于当今那些始终保持正常运转的电气基础设施 （电信网络、互联网和电网等） 的设计师而言，这很可能是他们的座右铭。问题是，此类基础设施的构件 （从不起眼的电容器到高度智能化的刀片服务器） 其使用寿命都是有限...
LLC转换器的基本工作在上一篇的的区域（2）中，MOSFET导通时是ZVS工作，因此LLC转换器通常在这个区域使用。为区域（2）中的工作波形。Q1和Q2的漏极电流波形（ID_Q1、ID_Q2）表明在导通时是ZVS工作。. 区域（2）中LLC...
MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表达式,得出电阻和电容电压关系图MOS管的开关时间要考虑的是...
众所周知，为了使晶体管更小，人们做了大量工作。然而，仍然需要对 VLSI 电路和模块进行相应的工作，以适应更小的设计。这些 VLSI 电路和模块可能很简单，只有几个逻辑门（包含两到四个晶体管），也可能是包含成千上...
关于非隔离型AC/DC转换器设计，首先介绍电路工作。举例的AC/DC转换器，一般是被称为“Buck Converter（降压转换器）”的产品。本来“Buck Converter”的意思就是降压型转换器，是在DC/DC转换器中也使用的称呼。只是...
在讨论MOS晶体管时，短沟道器件中基本上有六种漏电流成分：反向偏置-pn结漏电流亚阈值漏电流漏极引起的势垒降低V滚降工作温度的影响隧道进入和通过栅极氧化物漏电流热载流子从衬底注入栅氧化层引起的漏电流由于栅极...
在我们关于 VLSI 中的晶体管大小调整系列的续篇中，我们将介绍我们系列中的第三个也是最后一个模型，即线性延迟模型。如果您想了解线性 RC 延迟模型 和流行的Elmore 延迟模型，请务必查看之前的文章。线性延迟模型提...
几十年来，反激式拓扑结构在低功率AC/DC应用中占据主导地位，因为它在广泛的工作范围内具有简单性和稳健性。近年来，同步整流器 (SR) 已取代反激式电源中的传统肖特基二极管，以显着提高效率。随着对效率和功率密度...
自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来，理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放大器和模拟乘法器的理想选择。此外，它们还可以用作可...
光伏系统通常包括一种储能方式——电池或超级电容器——在没有阳光或电源瞬变期间为负载提供电力。但是，在可行的情况下，无存储系统是具有更高 MTBF 的更环保的替代方案。图 1 中描述的设计理念 是一种光伏稳压器，...
感抗是电感线圈的特性，它抵抗通过它的交流电（AC）的变化，类似于电阻对直流电（DC）的反作用。到目前为止，我们已经研究了连接到直流电源的电感器的行为，希望现在我们知道，当在电感器上施加直流电压时，通过它的...
图 1中的 MOSFET在恒温电路中用作加热器和温度传感器。图 1将 MOSFET 用作恒温加热器的电路图。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器（典型设定温度为30°C至50°C）；其他用途可能包括塑料切割/焊接、电子...
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关...
罗姆今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（MOSFET）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及多个可用的TO247...
