电力半导体模块符号和术语说明
出处:zjsx8192 发布于:2007-11-13 15:21:05
电力半导体模块符号和术语说明:
di/dt--通态电流临界上升率 ITSM —通态(不重复)浪涌电流
dv/dt—断态电压 临界上升率 Rth(c-h) —底板与散热器之间的接触热阻
f ----工作频率 Rth(j-c) —结壳(铜底板)热阻
ID---桥式电路直流输出电流 Rth(h-a) —散热器到环境的热阻
IDRM ------ 断态重复峰值电流 rTO --通态斜率电阻
IF(AV) ---正向平均电流 Ta -----环境温度
IF( RMS ) --- 正向方均根电流 TC ----管壳(铜底板)温度
IFSM --正向(不重复)浪涌电流 Tjm ---额定结温
IGT ---门极触发电流 tq ---关断时间
IH ---维持电流 VDRM - --断态重复峰值电压
IL ----擎住电流 VFM ---正向峰值电压
IRMS ---整个交流开关模块的额定方均根电流 VGT ---门极触发电压
IRRM ---反向重复峰值电压 VISO ---模块绝缘电压
I2 t—器件能承受短时能量的能力(快熔用 I2t) VRRM —反向重复峰值电压
IT(AV ) —通态平均电流 VTM —通态峰值电压
IT(RMS ) ---通态方均根电流 VTO —通态门槛电压
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 使用 GaN IC 离线电源的大容量电容器优化2024/4/24 17:30:57
- 并联电压电池2024/4/23 17:45:00
- 运算放大器压摆率和上升时间解释2024/4/22 16:16:53
- B 类放大器的组成及其特性概述2024/4/16 17:22:23
- GaN 基高频 LLC 谐振转换器的设计注意事项2024/4/15 17:21:58