比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM
出处:313yp 发布于:2007-12-14 11:13:15
据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。 新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称,新产品比现行普通闪存快30倍以上。 三星说,新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上,三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片。 当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—NOR和NAND。 NOR闪存适合直接运行软件,但是它速度较慢,而且制造价格昂贵。NAND闪存容易大规模制造,更适合大容量文件储存,比如MP3音乐文件。 三星公司说,PRAM闪存芯片采用垂直二极管和三维晶体管结构,以便使体积更小。三星称,与NOR和NAND芯片不同的是,PRAM闪存不需要在储存新数据前擦除旧数据。 三星在周一还展示了用较精细40纳米级工艺制造的32GB容量的NAND闪存芯片。 | |
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