三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产
出处：awey 发布于：2007-12-15 14:56:03
CNET科技资讯网10月24日国际报道 本周二，三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。
三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说，这种闪存芯片是提高闪存芯片存储密谋计划中的一大进步。
三星称这款芯片是这类芯片中的款，也标志着闪存芯片的存储密度已经是连续8年翻番，NAND闪存芯片的生产工艺已经连续7年得到改进。
三星表示，计划在2009年批量生产这种芯片。
去年，三星公布了采用40纳米工艺的32G位NAND闪存芯片。三星一名女发言人说，三星计划于明年批量生产该芯片。目前，三星大多数的闪存芯片使用0.05微米工艺。
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