三星用30nm工艺研制64G闪存芯片

出处:bg4alf 发布于:2007-12-15 16:18:38

 

    北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是块64GB的NAND闪存芯片。

    三星电子公司表示,他们利用三十纳米的的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前,该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用五十纳米工艺。

    三星电子公司在一份声明中说,64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。

    三星电子公司表示,64GB的闪存芯片属于全世界首创。它的问世,也是闪存行业连续八年让容量翻倍,也是连续七年在芯片制造工艺上获得提升。

    三星电子说,他们将在2009年开始量产这种高容量闪存芯片。

    众所周知的是,闪存在供电取消之后仍然可以保存数据,和硬盘相比稳定性更高,功耗也越少,目前被广泛用于包括音乐播放器手机数码相机在内的消费电子产品。多家公司甚至已经生产出可以用于电脑的闪存混合硬盘。业界普遍认为,随着闪存价格不断下降,未来硬盘将逐渐被闪存所取代。

    需要指出的是,去年,三星电子宣布生产出了32GB容量的闪存芯片,当时采用的是四十纳米的半导体制造工艺。三星电子公司发言人说,他们将在明年量产32GB的闪存芯片。



  
关键词:闪存芯片

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