载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度
出处:bpcui 发布于:2007-12-04 10:22:14
采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻,执行齐纳二极管栅保护,提高dv/dt处理能力和成本竞争力。这种器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流,典型导通电阻RDS(on) 0.85Ω。STF9NK60ZD可以处理30W的功率,而STB9NK60ZD和STP9NK60ZD的功率为120W。
新器件的雪崩测试率为100%,目前所选封装为TO-220、TO-220FP和D2PAK。订购10万件的美国市场单价为0.80美元(仅供参考)。
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