Fairchild推出P沟道MOSFET器件
出处:skiky 发布于:2007-12-04 10:51:52
飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench® MOSFET,采用了飞兆半导体的晶圆级芯片尺寸封装 (WL-CSP),因而具有出色的热阻 (83℃/W) 和低RDS(ON) (4.5V时为67mΩ)。FDZ191P具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装,与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间,而且的封装高度仅为0.65mm,使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。FDZ191P还能够工作于1.5V的低电压,这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外,FDZ191P还满足电子产品应用要求的所有“绿色”和RoHS标准。
飞兆半导体低压功率产品部市务总监Chris Winkler称:“飞兆半导体的FDZ191P正在为超小型及高性能MOSFET市场设立新的标准,并同时印证了飞兆半导体的技术,结合高密度的MOSFET硅片来开发的封装技术。飞兆半导体采用1.0mm × 1.5mm WL-CSP封装的产品系列正不断扩展,为设计人员提供了理想的解决方案,能够应付低压设计对于空间和功率管理电路方面的挑战。”
FDZ191P的主要优点包括:
· 超小的封装和高度 – 仅占用1.5 mm2 的印刷线路板面积,当安装在印刷线路板上时,FDZ191P的高度不超过0.65mm,因此适用于各种高密度应用;
· 出色的热性能和电气性能 – FDZ191P提供优良的散热特性 (安装在1” x 1” 铜焊盘上时,Rthja = 83℃/W)。它还可满足便携式产品的功率管理设计要求 (Vgs = 4.5V 时典型的RDS(ON) 为67mΩ,Vgs= 2.5V时RDS(ON) 为85mΩ);
· 高功率和大电流处理能力 – 安装在1” x 1” 铜焊盘上时,FDZ191P有助于实现1.5W的功率耗散 (Pd) 和3A的连续漏极电流(ID) ;
· 满足RoHS/绿色标准要求 – FDZ191P能达致国际性的RoHS标准和绿色标准。
这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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