飞兆半导体推出30V同步降压转换器芯片组

出处：forthlab 发布于：2007-12-07 10:49:45

　　据介绍，通过PowerTrench MOSFET技术，高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大电流密度和更高效率。此外，FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术无须使用外部肖特基二极管，节省了电路板空间和装配成本。

　　该集成芯片组的米勒电荷(Miller)Qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的Qgd/Qgs比，限制了交叉导通(Cross-conduction)损耗的可能性。除Vcore设计之外，快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on)FDS6299S提供了配对使用的好处，适用于高端通信设备等应用的大电流负载点(POL)转换器。

　　FDS6298(高端)MOSFET的主要性能特性包括：低总Qg(9nC @ VGS=4.5V)和Qgd(3nC @ VGS=4.5V)，并具有快速开关速度，能提高效率；优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；规范的Rg和100%的Rg测试实现优良的漏源开关特性。

　　FDS6299S(低端)MOSFET的主要性能特性包括：低导通阻抗RDS(on)以减小DC损耗；低体二极管损耗(低QRR和低前向电压降)以提高效率；软恢复特性减少噪声，低Crss减小了交叉传导的可能性；低总Qg(31nC @ VGS=5V)降低了栅级驱动要求。

　　飞兆半导体计算解决方案市务经理David Grey称：“在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，并且是改善电磁兼容性或EMI的指标。我们的技术减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，该芯片组利用了配对的集成式SyncFET器件达到减少组件数量的目的。”

　　该芯片组产品均采用无铅SO-8封装，能达到甚至超过IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。目前此芯片组已发货，订购1,000个情况下，FDS6298单价为0.62美元，FDS6299S单价为1.18美元(以上仅供参考)。交货期在收到订单后12周内。